[发明专利]使用反应性气体及偏压功率改良PVD碳膜质量的方法在审
| 申请号： | 201780084149.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110235221A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 巴加夫·西特拉;刘菁菁;华忠强;殷正操;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式一般描述用于使用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)处理在基板之上(包含先前形成在基板之上的层的上方)沉积非晶碳层的方法，且特别地，在沉积处理期间的基板的偏压及将除了惰性气体之外的氮源气体和/或氢源气体流动进入处理腔室，以改良沉积非晶碳层的形态与膜应力。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 沉积 非晶碳层 改良 反应性气体 高功率脉冲 处理期间 处理腔室 磁控溅射 氮源气体 惰性气体 偏压功率 氢源气体 膜应力 碳膜 流动 | ||
【主权项】：
1.一种沉积非晶碳层的方法，包含：将基板定位在基板支撑件上，所述基板支撑件设置在处理腔室的处理空间中，所述处理腔室包括：接合于金属背板的碳靶材；耦接于所述金属背板的磁控外壳，其中所述金属背板与所述磁控外壳界定外壳空间；设置在所述外壳空间中的磁控组件；和由可旋转轴件而耦接于所述磁控组件的马达；将处理气体流动进入所述处理空间，所述处理气体包含惰性气体与反应性气体，所述反应性气体包含氢、氮、或前述物的组合；将脉冲DC功率提供至设置在所述处理空间中的所述碳靶材；形成所述处理气体的等离子体；将偏压功率提供至设置在所述基板支撑件中的偏压电极；和在所述基板上沉积所述非晶碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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