[发明专利]具有垂直结构的异质结晶体管有效
| 申请号： | 201780084273.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110476254B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 勒内·埃斯科菲耶;泽格·卢多特 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会;雷诺有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1)，其包括：‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠；‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22)；‑分离层(12)，其与第一电极对齐且位于第二半导体层(13)的下方；‑第三半导体层(11)，其布置在分离层(12)下方并且与第二电极电接触；‑导电元件(24)，其与所述气体层(15)电接触并且电连接第三半导体层(11)和所述气体层(15)；‑位于所述导电元件(24)和第一传导电极(21)之间的控制栅极(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 结晶体 | ||
【主权项】：
1.一种异质结场效应晶体管(1)，包括：/n-III-N型第一半导体层和第二半导体层(14、13)的堆叠，其配置成在第一半导体层和第二半导体层的界面处形成异质结，从而形成电子或空穴气体层(15)；/n-第一传导电极(21)，其与所述电子或空穴气体层(15)电接触；/n-分离层(12)，其位于第一电极的正上方并且位于第二半导体层(13)的下方；/n-第三半导体层(11)，其设置在分离层(12)的下方；/n-第二传导电极(22)，其与第三半导体层(11)电接触；/n-栅极(23)，其配置成选择性地电隔离和电连接所述电子或空穴气体层(15)的两个部分；/n其特征在于：/n-所述晶体管包括导电元件(24)，其与所述电子或空穴气体层(15)电接触并且穿过分离层(12)，用于将第三半导体层(11)和所述电子或空穴气体层(15)电连接起来，所述分离层(12)在所述导电元件(24)的整个周缘上与其接触，所述导电元件(24)穿入第三半导体层(11)中，使得所述导电元件(24)与第二传导电极(22)之间的距离最多等于1μm；/n-栅极(23)位于所述导电元件(24)和传导电极(21)之间。/n
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