[发明专利]发光二极管(LED)测试设备和制造方法在审
申请号: | 201780084326.9 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN110337712A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 弗兰乔斯·J·亨利 | 申请(专利权)人: | 特索罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施例涉及用于制造包含发光二极管(LED)结构的产品的功能测试方法。具体地,通过使用场板,经由位移电流耦合装置注入电流来功能地测试LED阵列,该场板包括靠近LED阵列放置的电极和绝缘体。然后将受控电压波形施加到场板电极以并联激励LED装置得到高通量。相机记录由电激发产生的各个光发射,以产生多个LED装置的功能测试。改变电压条件可在不同的电流密度水平激励LED,以在功能上测量外部量子效率和其他重要的装置功能参数。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 功能测试 场板 绝缘体 外部量子效率 并联激励 测试设备 电压条件 方法实施 受控电压 位移电流 相机记录 注入电流 装置功能 耦合装置 板电极 电激发 高通量 光发射 电极 制造 测量 施加 测试 | ||
【主权项】:
1.一种用于观察来自发光装置结构的发光的设备,所述发光装置结构设置在支撑衬底上,所述支撑衬底具有能够从表面到达的第一面接触层和位于所述发光装置结构下面的第二接触层,所述设备包括:场板装置,所述场板装置具有第一面和与所述第一面相对的第二面,所述第二面包括导电层和上覆介电层,所述介电层位于所述发光装置结构的第一接触层的至少一部分的附近,电压源用于产生电压,所述电压源具有第一端子和第二端子,所述第一端子耦接至所述场板装置的所述导电层,所述第二端子耦接到地电位,所述电压源能够生成时变电压波形,以在所述场板装置的所述介电层和发光装置结构之间形成电压电位,以将电流注入到所述发光装置结构中,以使所述发光装置结构以一模式发射电磁辐射;和检测器装置,耦接到所述发光装置结构,以形成源自所述发光装置结构的以所述模式的所述电磁辐射的图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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