[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780084467.0 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN110313071B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 林田哲郎;南条拓真;绵引达郎;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基板(1)包括氮化镓系材料。n型层(2)设置于基板(1)的第1面上。p型层(31)设置于n型层(2)上，在基板(1)的第1面上，与n型层(2)一起，构成设置有具有底面(41b)、侧面(41s)、以及顶面(41t)的台面形状(41)的半导体层。阳电极(71)设置于p型层(31)上。阴电极(6)设置于基板(1)的第2面上。绝缘膜(8)通过从底面(41b)上延伸到顶面(41t)上而覆盖侧面(41s)。在顶面(41t)中设置有至少1个沟槽(51)。上述至少1个沟槽(51)包括被绝缘膜(8)填充的沟槽(51)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置(91、91C、92、93)，具备：基板(1)，具有第1面和与所述第1面相反的第2面，包括氮化镓系材料；n型层(2)，设置于所述基板(1)的所述第1面上；p型层(31～34)，设置于所述n型层(2)上，在所述基板(1)的所述第1面上与所述n型层(2)一起构成设置有具有底面(41b)、侧面(41s)及顶面(41t)的台面形状(41)的半导体层；阳电极(71～73)，设置于所述p型层(31～34)上；阴电极(6)，设置于所述基板(1)的所述第2面上；以及绝缘膜(8)，通过从所述底面(41b)之上延伸到所述顶面(41t)之上，覆盖所述侧面(41s)，在所述顶面(41t)设置有至少1个沟槽(51～53)，所述至少1个沟槽(51～53)包括被所述绝缘膜(8)填充的沟槽(51～53)。
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