[发明专利]可变延迟电路在审
| 申请号： | 201780084550.8 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110235366A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 慕丰浩 | 申请（专利权）人： | 瑞典爱立信有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/134 | 分类号： | H03K5/134;H03K3/356 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 穆童 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 公开了一种可通过锁存电路及利用一个或多个可通过锁存电路构造的可变延迟链。可通过锁存电路包括动态锁存器，所述动态锁存器包括第一P型晶体管(MPI)、第一N型晶体管(MNI)、第二P型晶体管(MPD)、第二N型晶体管(MND)和时钟输入电路装置。可通过锁存电路还包括控制开关(120)，所述控制开关(120)连接在所述第二P型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极之间。所述控制开关具有接通状态和关断状态，并且所述可通过锁存电路配置为通过控制所述控制开关的状态来具有不同的延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 锁存电路 动态锁存器 可变延迟电路 时钟输入电路 锁存电路配置 可变延迟链 关断状态 接通状态 延迟 | ||
【主权项】：
1.一种可通过锁存电路(100，300)PL包括：动态锁存器，所述动态锁存器包括第一P型晶体管(MPI)、第一N型晶体管(MNI)、第二P型晶体管(MPD)、第二N型晶体管(MND)和时钟输入电路装置(110)；其中所述第一P型晶体管(MPI)的源极和第二P型晶体管(MPD)的源极连接至第一电压(Vd)，所述第一N型晶体管(MNI)的源极和第二N型晶体管(MND)的源极连接至第二电压(Gnd)，所述第一P型晶体管(MPI)的栅极和所述第一N型晶体管(MNI)的栅极连接至数据输入(D)，所述第二P型晶体管的漏极和所述第二N型晶体管的漏极连接至数据输出(Q)，所述第一P型晶体管(MPI)的漏极连接至所述第二P型晶体管(MPD)的栅极，所述第一N型晶体管(MN1)的漏极连接至所述第二N型晶体管(MND)的栅极；以及所述时钟输入电路装置(110)连接在所述第二P型晶体管的栅极和所述第二N型晶体管的栅极之间，使得：所述时钟输入电路装置的第一节点(111)连接至所述第一P型晶体管(MPI)的漏极和所述第二P型晶体管(MPD)的栅极，所述时钟输入电路装置的第二节点(112)连接至所述第一N型晶体管(MNI)的漏极和所述第二N型晶体管(MND)的栅极；其特征在于，所述可通过锁存电路还包括：控制开关(120)，所述控制开关(120)连接在所述第二P型晶体管(MPD)的栅极和所述第二N型晶体管(MND)的栅极之间，并且其中，所述控制开关具有接通状态和关断状态，并且所述可通过锁存电路配置为通过控制所述控制开关的状态来具有不同的延迟。
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