[发明专利]基于液晶的高频装置和高频开关有效
| 申请号： | 201780085292.5 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110235301B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | A.R.维伦斯基;E.A.谢佩列娃;G.A.叶夫秋什金;M.N.马库林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01P1/10 | 分类号： | H01P1/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高频装置和/或包括其的高频开关可以包括：信号电极；第一接地电极，与信号电极平行地设置；第一液晶层，设置在信号电极和第一接地电极之间；以及第一电介质层，设置在第一液晶层和第一接地电极之间和/或设置在信号电极和第一液晶层之间。第一电介质层可以具有比第一液晶层的介电常数大的介电常数。可以各种各样地实现高频装置和/或包括其的高频装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 液晶 高频 装置 开关 | ||
【主权项】：
1.一种高频装置，包括：信号电极；第一接地电极，与所述信号电极平行地布置；第一液晶层，设置在所述信号电极和所述第一接地电极之间；和第一电介质层，设置在所述第一液晶层的至少一个与所述第一接地电极之间或者设置在所述信号电极与所述第一液晶层之间，其中所述第一电介质层具有比所述第一液晶层的介电常数大的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780085292.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：充电装置
- 下一篇：具有单独的电容和电感衬底的射频滤波器
