[发明专利]用于键合衬底的方法和设备在审
| 申请号： | 201780085913.X | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110235223A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | K.欣格尔;P.N.奥伯胡默;G.赫泽尔 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙云汉;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提出了一种用于将第一衬底（1、6）与第二衬底（2）键合的方法，所述方法具有如下流程：‑在所述第一衬底（1、6）上产生第一非结晶层（1a、6a）和/或在所述第二衬底（2）上产生第二非结晶层（2a）；‑在一个或多个非结晶层（1a、2a、6a）上将所述第一衬底（1、6）与所述第二衬底（2）连接，用于构造衬底堆（3）；‑用辐射（5）来照射所述一个或多个非结晶层（1a、2a、6a），使得所述一个或多个非结晶层（1a、2a、6a）被转化成一个或多个结晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 非结晶层 方法和设备 结晶层 键合 照射 辐射 转化 | ||
【主权项】：
1.一种用于将第一衬底（1、6）与第二衬底（2）键合的方法，所述方法具有如下流程：‑ 在所述第一衬底（1、6）上产生第一非结晶层（1a、6a）和/或在所述第二衬底（2）上产生第二非结晶层（2a）；‑ 在一个或多个非结晶层（1a、2a、6a）上将所述第一衬底（1、6）与所述第二衬底（2）连接，用于构造衬底堆（3）；‑ 用辐射（5）来照射所述一个或多个非结晶层（1a、2a、6a），使得所述一个或多个非结晶层（1a、2a、6a）被转化成一个或多个结晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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