[发明专利]一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法和系统有效
| 申请号： | 201780086059.9 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN110268330B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | M·N·J·范科温克;V·S·凯珀;M·J-J·维兰德 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的特征，其中根据小束控制数据对晶片的曝光导致曝光图案，该图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自特征数据集的特征的不同选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 无掩模 光刻 曝光 系统 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，所述方法包括：生成小束控制数据，用于控制所述无掩模图案写入器，以曝光晶片用于所述电子器件的创建，其中，基于特征数据集生成所述小束控制数据，所述特征数据集定义能够被选择用于对所述电子器件进行个性化的特征，其中，根据所述小束控制数据对所述晶片的曝光导致曝光图案，所述图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自所述特征数据集的所述特征的不同选择。
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