[发明专利]氮化膜成膜方法有效
| 申请号： | 201780086342.1 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110352474B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 西村真一;渡边谦资;山田义人;寺本章伸;诹访智之;志波良信 | 申请（专利权）人： | 东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 膜成膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化膜成膜方法，其是在配置于处理室(10)内的基板(1)上形成氮化膜的氮化膜成膜方法，其包括：(a)将硅烷系气体供给至所述处理室的步骤；(b)将氮自由基气体供给至所述处理室的步骤；和(c)在不使所述处理室内产生等离子体现象的情况下，使所述步骤(a)中供给的硅烷系气体与所述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在所述基板上形成氮化膜的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学，未经东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780086342.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板处理装置及基板处理方法
- 下一篇：功率模块和反向导通IGBT
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
