[发明专利]具有磁耦合设备的半导体开关有效
申请号: | 201780086476.3 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN110326218B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 陈楠;K·伊尔维斯;M·纳瓦兹 | 申请(专利权)人: | ABB瑞士股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/0814 | 分类号: | H03K17/0814;H03K17/12;H02M7/00;H02M7/493;H03K17/56 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 王菲;张涛 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及用于电力电子(PE)转换器(1)的半导体开关支路S。开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑,半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径。半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d,每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。 | ||
搜索关键词: | 具有 耦合 设备 半导体 开关 | ||
【主权项】:
1.一种用于电力电子PE转换器(1)的半导体开关支路(S),所述半导体开关支路包括多个并联连接的半导体器件(Sa‑d),每个半导体器件连接有:正导体(a‑d+),将所述半导体器件连接到所述转换器的能量存储设备(2)的正极端子,以及负导体(a‑d‑),将所述半导体器件连接到所述转换器的所述能量存储设备(2)的负极端子,所述半导体器件与所述正导体和所述负导体一起形成跨过所述能量存储设备的电流路径;其中所述半导体开关支路(S)包括多个磁耦合设备(3a‑d),每个磁耦合设备被布置在所述多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得所述两个半导体器件中的一个半导体器件的所述电流路径和所述两个半导体器件中的另一半导体器件的所述电流路径穿过所述磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
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