[发明专利]具有磁耦合设备的半导体开关有效

专利信息
申请号: 201780086476.3 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN110326218B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 陈楠;K·伊尔维斯;M·纳瓦兹 申请(专利权)人: ABB瑞士股份有限公司
主分类号: H03K17/0814 分类号: H03K17/0814;H03K17/12;H02M7/00;H02M7/493;H03K17/56
代理公司: 北京市汉坤律师事务所 11602 代理人: 王菲;张涛
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及用于电力电子(PE)转换器(1)的半导体开关支路S。开关支路包括多个并联连接的半导体器件Sa‑d。每个半导体器件连接有将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的正极端子的正导体a‑d+、以及将半导体器件连接到转换器的能量存储设备(2)的负极端子的负导体a‑d‑,半导体器件与正导体和负导体一起形成跨过能量存储设备的电流路径。半导体开关支路包括多个磁耦合设备3a‑d,每个磁耦合设备被布置在多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得两个半导体器件中的一个半导体器件的电流路径与两个半导体器件中的另一半导体器件的电流路径穿过磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
搜索关键词: 具有 耦合 设备 半导体 开关
【主权项】:
1.一种用于电力电子PE转换器(1)的半导体开关支路(S),所述半导体开关支路包括多个并联连接的半导体器件(Sa‑d),每个半导体器件连接有:正导体(a‑d+),将所述半导体器件连接到所述转换器的能量存储设备(2)的正极端子,以及负导体(a‑d‑),将所述半导体器件连接到所述转换器的所述能量存储设备(2)的负极端子,所述半导体器件与所述正导体和所述负导体一起形成跨过所述能量存储设备的电流路径;其中所述半导体开关支路(S)包括多个磁耦合设备(3a‑d),每个磁耦合设备被布置在所述多个半导体器件中的相应的两个相邻半导体器件的两条电流路径之间,使得所述两个半导体器件中的一个半导体器件的所述电流路径和所述两个半导体器件中的另一半导体器件的所述电流路径穿过所述磁耦合设备,并且使得每条电流路径穿过所述多个磁耦合设备中的两个磁耦合设备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ABB瑞士股份有限公司,未经ABB瑞士股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780086476.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top