[发明专利]具有发光二极管的光电设备有效
申请号: | 201780086496.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN110301047B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 谭伟新;菲力浦·吉莱 | 申请(专利权)人: | 艾利迪公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/18;H01L33/24 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电设备(5),包括:发光二极管(LED),每个发光二极管包括对应于纳米线、微米线、和/或纳米或微米范围的棱锥结构的半导体元件(22),以及至少部分地覆盖所述半导体元件并且适于发射辐射的壳体(24);以及针对每个发光二极管的光致发光涂层(28R,28G,28B),其包括单量子阱、多量子阱或异质结构,覆盖所述壳体的至少一部分并与所述壳体或所述半导体元件接触,并且适于通过光学泵浦将所述壳体发射的辐射转换成另一辐射。 | ||
搜索关键词: | 具有 发光二极管 光电 设备 | ||
【主权项】:
1.一种光电设备(5;55;60),包括:发光二极管(LED),每个发光二极管包括对应于纳米线、微米线、和/或纳米或微米范围的棱锥结构的半导体元件(22),以及至少部分地覆盖所述半导体元件并且适于发射辐射的壳体(24);以及针对每个发光二极管的光致发光涂层(28R,28G,28B),其包括单量子阱、多量子阱(44)或异质结构,覆盖所述壳体的至少一部分并与所述壳体或所述半导体元件接触,并且适于通过光学泵浦将所述壳体发射的辐射转换成另一辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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