[发明专利]通过分步结晶提高低聚硅烷和低聚硅烷化合物纯度的方法有效
申请号: | 201780086537.6 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN110402236B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | C·鲍赫 | 申请(专利权)人: | PSC聚硅烷化学有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107;C07F7/20 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄琳娟 |
地址: | 德国比特尔费*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及提高低聚硅烷和/或低聚硅烷化合物纯度的方法,其中提供由至少50%低聚硅烷化合物形成的第一液体物质混合物,该低聚硅烷化合物包含无机低聚硅烷和/或卤代低聚硅烷和/或有机取代的低聚硅烷,并且所述第一液体物质混合物经历至少一个纯化工序,其中在第一步骤a)中,将液体物质混合物的温度调节到至少一部分低聚硅烷化合物固化的温度,并在第二步骤中b)中分离至少一部分液体物质混合物。 | ||
搜索关键词: | 通过 分步 结晶 提高 硅烷 化合物 纯度 方法 | ||
【主权项】:
1.提高低聚硅烷和/或低聚硅烷化合物纯度的方法,其中制备至少50%低聚硅烷化合物的液体物质混合物,该低聚硅烷化合物包含无机低聚硅烷和/或卤代低聚硅烷和/或有机取代的低聚硅烷,并且所述液体物质混合物经历至少一个纯化工序,其中在第一步骤a)将物质混合物的温度调节到至少一部分低聚硅烷化合物固化的温度,并在第二步骤b)分离至少一部分的液体物质混合物。
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