[发明专利]设计者原子层蚀刻在审
| 申请号： | 201780086828.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110741462A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 克伦·雅各布斯·卡纳里克;特塞翁格·金姆 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了用于评估各种材料的改性和去除操作的协同作用以确定通过原子层蚀刻进行自限蚀刻的工艺条件的方法。所述方法包括确定材料的表面结合能量，为材料选择改性气体，其中用于使材料表面改性的工艺条件产生的能量小于改性能量且大于解吸能量，选择去除气体，其中用于去除经改性的表面的工艺条件产生的能量大于解吸能量以去除经改性的表面但小于材料的表面结合能量以防止溅射，并计算协同作用以使用于原子层蚀刻的工艺窗最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 蚀刻 工艺条件 表面结合 解吸能量 原子层 改性 材料表面改性 材料选择 改性气体 工艺窗 最大化 溅射 评估 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻在衬底上的材料的方法，该方法包括：/n识别使用改性气体和去除气体对材料进行的原子层蚀刻工艺的工艺条件；以及/n通过以下方式对所述衬底上的所述材料执行所述原子层蚀刻工艺：/n使所述衬底暴露于所述改性气体以使所述材料的表面改性，所述改性气体相对于待蚀刻的所述材料具有改性能量和解吸能量，以及/n使经改性的所述表面暴露于所述去除气体并点燃等离子体以去除经改性的所述表面，/n其中，所述改性能量小于所述解吸能量，所述解吸能量小于所述材料的表面结合能量。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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