[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201780087203.0 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110326090A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 角野翼;日坂隆行 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体层(2)之上形成有栅极电极(6)，该栅极电极(6)至少具有最下层(6a)和上层(6b)，该最下层(6a)与半导体层(2)接触，该上层(6b)形成于最下层(6a)之上。上层(6b)向最下层(6a)产生应力而导致最下层(6a)的两端部从半导体层(2)翘起。 | ||
| 搜索关键词： | 最下层 半导体层 栅极电极 上层 半导体装置 两端部 翘起 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层；以及栅极电极，其形成于所述半导体层之上，至少具有最下层和上层，该最下层与所述半导体层接触，该上层形成于所述最下层之上，所述上层向所述最下层产生应力而导致所述最下层的两端部从所述半导体层翘起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
