[发明专利]原子层蚀刻方法和装置有效
| 申请号： | 201780087253.9 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN110326085B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 戴维·史密斯;索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于对衬底的表面执行原子层蚀刻的方法，其包括：通过将所述衬底的所述表面暴露于表面转化反应物来执行表面转化操作；通过将所述衬底的所述表面暴露于含有配体的反应物来执行配体交换操作；执行解吸操作，从而从所述衬底的所述表面除去表面物质；执行清扫操作；重复所述表面转化操作、所述配体交换操作、所述解吸操作和所述清扫操作，进行预定数量的循环。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于对衬底的表面执行原子层蚀刻的方法，其包括：通过将所述衬底的所述表面暴露于表面转化反应物来执行表面转化操作；通过将所述衬底的所述表面暴露于含有配体的反应物来执行配体交换操作；执行解吸操作，从而从所述衬底的所述表面除去表面物质；执行清扫操作；重复所述表面转化操作、所述配体交换操作、所述解吸操作和所述清扫操作，进行预定数量的循环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
