[发明专利]量子点光子学在审
| 申请号： | 201780087418.2 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110383126A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | G·库兹韦尔;梁迪;R·G·博索莱伊 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;F21V8/00;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开的示例涉及量子点(QD)光子学。根据本文公开的一些示例，QD半导体光放大器(SOA)可以包括硅衬底和硅衬底上方的QD层。所述QD层可以包括有源增益区域，以放大从光信号发生器接收的激射模式。所述QD层可以具有增益恢复时间，使得有源增益区域放大所接收的激射模式而没有码型效应。波导可以被包括在硅衬底的上硅层中。所述波导可以包括模式转换器，以促进QD层和波导之间的接收激射模式的光耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 激射模式 硅衬底 波导 增益区域 光子学 量子点 放大 半导体光放大器 光信号发生器 模式转换器 码型效应 光耦合 上硅层 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种量子点(QD)半导体光放大器(SOA)，包括：硅衬底；在所述硅衬底上方的QD层，所述QD层包括用于放大从光信号发生器接收的激射模式的有源增益区域，所述QD层具有增益恢复时间，以使得所述有源增益区域放大接收的激射模式而没有码型效应；包括在所述硅衬底的上硅层中的波导；以及包括在所述波导中的模式转换器，用于促进接收的激射模式在所述QD层和所述波导之间的光耦合。
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