[发明专利]铁磁隧道结元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201780087821.5 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110352506A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/14;H01F10/16;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 韩晓薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [问题]提供一种铁磁隧道结元件及其制造方法，利用该方法可以避免增加元件占用面积和制造步骤的数量，同时还避免元件属性的变化并维持高的制造产量。[解决方案]提供了一种铁磁隧道结元件，包括以下：第一磁性层；第一绝缘层，设置在第一磁性层顶上；第二磁性层，设置在第一绝缘层顶上并包含磁性过渡金属；以及氧化镁膜，设置为覆盖第二磁性层的侧表面并包含磁性过渡金属。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 铁磁隧道结元件 绝缘层 磁性过渡金属 制造 氧化镁膜 元件属性 侧表面 面积和 占用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种铁磁隧道结元件，包括：第一磁性层；第一绝缘层，设置在第一磁性层上；第二磁性层，包含磁性过渡金属，第二磁性层设置在第一绝缘层上；以及氧化镁膜，包含磁性过渡金属，氧化镁膜设置为覆盖第二磁性层的侧表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780087821.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体压力传感器
- 下一篇：钙钛矿薄膜的制备方法及其应用
