[发明专利]用于具有碳化硅MOSFET的功率转换器的滤波器装置在审

专利信息
申请号: 201780088031.9 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN110383656A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: R.G.瓦戈纳;W.M.布卢伊特 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H02M1/12 分类号: H02M1/12;H01F17/00;H01F27/28;H01F27/08;H01F27/10;H02J3/38
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杨忠;谭祐祥
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了用于在利用碳化硅MOSFET的功率转换系统中使用的滤波器装置。功率转换系统可包括功率转换器,该功率转换器配置成使功率从第一功率转换成第二功率。第二功率可具有与第一功率不同的至少一个特性。功率转换器可包括一个或多个碳化硅MOSFET。功率转换系统可进一步包括滤波器装置,该滤波器装置配置成从由功率转换器转换的功率中滤去一个或多个开关谐波的至少部分。
搜索关键词: 功率转换器 滤波器装置 功率转换系统 碳化硅MOSFET 功率转换 配置 谐波 转换
【主权项】:
1.一种功率转换系统,包括:功率转换器,其配置成使功率从第一功率转换成第二功率,其中所述第二功率具有与所述第一功率不同的至少一个特性,所述功率转换器包括一个或多个碳化硅MOSFET;以及滤波器装置,其配置成从由所述功率转换器转换的所述第二功率中滤除与所述一个或多个碳化硅MOSFET相关联的一个或多个开关谐波的至少部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780088031.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top