[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201780088076.6 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN110383488B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 藤田淳;鹿口直斗;和田文雄 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李今子
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 得到可靠性高的半导体装置。半导体装置(11)具备半导体基板、第1栅布线(22)及第2栅布线(22)、第1金属部(20a)、绝缘部件(40)以及第2金属部(20b)。第1栅布线(22)及第2栅布线(22)在半导体基板的主面上相互隔开间隔而配置。第1金属部(20a)形成于第1栅布线(22)及第2栅布线(22)之上。第1金属部(20a)具有在第1栅布线(22)与第2栅布线(22)之间的区域中位于与半导体基板(18)侧相反的一侧的上表面。在上表面形成有凹部(28)。绝缘部件(40)埋入于凹部(28)的至少一部分。第2金属部(20b)从绝缘部件(40)的上部表面上延伸至第1金属部(20a)的上表面上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:半导体基板,具有主面;第1栅布线及第2栅布线,在所述半导体基板的所述主面上相互隔开间隔而配置;第1金属部,形成于所述第1栅布线及所述第2栅布线之上,所述第1金属部具有在所述第1栅布线与所述第2栅布线之间的区域中位于与所述半导体基板侧相反的一侧的上表面,在所述上表面形成有凹部,所述半导体装置进而具备:绝缘部件,埋入于所述凹部的至少一部分;以及第2金属部,从所述绝缘部件的上部表面上延伸至所述第1金属部的所述上表面上。
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