[发明专利]二次电池在审
| 申请号： | 201780088140.0 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110392954A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 室屋祐二;成冈庆纪 | 申请（专利权）人： | 远景AESC日本有限公司;雷诺两合公司 |
| 主分类号： | H01M10/0585 | 分类号： | H01M10/0585;H01M4/70;H01M10/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可抑制在负极产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱的二次电池。一种二次电池，该二次电池包括负极，该负极具有配置有负极活性物质层的负极集电体(32)，该负极活性物质层具有含有硅的负极活性物质，其中，负极集电体(32)具有：活性物质区域(40)，其配置有负极活性物质层；非活性物质区域(46)，其未配置有负极活性物质层；以及狭缝(36)，其自非活性物质区域(46)延长到活性物质区域(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 负极活性物质层 二次电池 活性物质区域 非活性物质 负极 负极集电体 配置 褶皱 负极活性物质 分界 狭缝 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池，其中，该二次电池具有发电元件，该发电元件具有：正极，其具有配置有正极活性物质层的正极集电体；电解质层，其保持电解质；以及负极，其具有配置有负极活性物质层的负极集电体，该负极活性物质层具有含有硅的负极活性物质，所述正极活性物质层和所述负极活性物质层隔着所述电解质层相对，所述负极集电体具有：活性物质区域，其配置有所述负极活性物质层；非活性物质区域，其未配置有所述负极活性物质层；以及狭缝，其自所述非活性物质区域延长到所述活性物质区域。
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