[发明专利]光半导体元件有效
| 申请号： | 201780088584.4 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN110431720B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 境野刚;中村直干;奥贯雄一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光器(2)具有n型半导体衬底(1)和在n型半导体衬底(1)之上依次层叠的n型包覆层(4)、有源层(5)以及p型包覆层(6)。光波导(3)具有芯层(9)和包覆层(10)，该芯层(9)位于n型半导体衬底(1)之上且设置于半导体激光器(2)的光输出侧，没有掺杂杂质，与有源层(5)相比禁带宽度大，该包覆层(10)设置于芯层(9)之上，与p型包覆层(6)相比载流子浓度低。半导体激光器(2)具有载流子注入区域(X1)以及在载流子注入区域(X1)和光波导(3)之间设置的非载流子注入区域(X2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体元件，其特征在于，具备：半导体激光器，其具有n型半导体衬底和在所述n型半导体衬底之上依次层叠的n型包覆层、有源层以及p型包覆层；以及光波导，其具有芯层和包覆层，该芯层位于所述n型半导体衬底之上并且设置于所述半导体激光器的光输出侧，没有掺杂杂质，与所述有源层相比禁带宽度大，该包覆层设置于所述芯层之上，与所述p型包覆层相比载流子浓度低，所述半导体激光器具有：载流子注入区域；以及非载流子注入区域，其设置于所述载流子注入区域和所述光波导之间。
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