[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780089175.6 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110476255B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 冈部达;田中哲宪;家根田刚士 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 郝家欢 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS‑TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设置在显示装置像素电路中的半导体装置，其特征在于，/n所述半导体装置从下侧起依次包括：/n基板；/n第一晶体管的半导体层；/n第一绝缘层；/n第一金属层；/n第一平坦化层；/n第二绝缘层；/n第二晶体管的半导体层；/n第二金属层；/n第三绝缘层；以及/n第三金属层，/n所述第一晶体管包括作为半导体材料的低温多晶硅，/n所述第二晶体管包括作为半导体材料的氧化物半导体，/n所述第一晶体管的栅极电极与所述第二晶体管的栅极电极由所述第一金属层形成。/n
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