[发明专利]多层一次性可编程永久存储器单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201780089270.6 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110520977A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠 | 申请（专利权）人： | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;G11C11/00 |
| 代理公司： | 51215 成都惠迪专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘勋<国际申请>=PCT/CN2017/ |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 多层一次性可编程永久存储器单元及其制备方法，涉及存储器技术。本发明提供一种多层一次性可编程永久存储器单元，含有：至少两层一次性可编程永久存储器模块，一层堆叠在另一层的上面；所述至少两层一次性可编程永久存储器模块的每一层，包含有用反相掺杂半导体材料制成的M行和N列，其中M和N是大于1正整数；薄绝缘电介质材料设置在所述至少两层一次性可编程永久存储器模块的每一层的所述M行和N列的相交处，在M行和N列之间；所述薄绝缘电介质材料在每一所述M行和N列的顶面和底面之一上。本发明的多层OTP永久存储器单元具有高存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性可编程 永久存储器单元 永久存储器模块 多层 两层 电介质材料 薄绝缘 掺杂半导体材料 存储器技术 层堆叠 相交处 正整数 底面 顶面 反相 制备 存储 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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