[发明专利]可移动的边缘环设计在审
| 申请号： | 201780089345.0 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110506326A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 希兰·拉吉塔·拉斯那辛赫;乔恩·麦克切斯尼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/683 |
| 代理公司： | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人： | 李献忠;张华<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种边缘环被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低。所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接。所述边缘环包括：上表面；环形内径；环形外径；下表面；以及环形凹槽，所述环形凹槽被布置在所述边缘环的所述下表面中，以与所述引导特征对接。所述环形凹槽的壁是基本竖直的。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘环 环形凹槽 衬底支撑件 下表面 衬底处理系统 向上延伸 底部环 上表面 升降销 配置 竖直 升高 | ||
【主权项】：
1.一种边缘环，其被配置为在衬底处理系统中经由一个或多个升降销相对于衬底支撑件升高和降低，其中，所述边缘环还被配置为在所述边缘环的调整过程中与从衬底支撑件的底部环和/或中部环向上延伸的引导特征对接，所述边缘环包括：/n上表面；/n环形内径；/n环形外径；/n下表面；以及/n环形凹槽，其被布置在所述边缘环的所述下表面中，以与所述引导特征对接，其中所述环形凹槽的壁是基本竖直的。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
