[发明专利]在阳离子硅(II)化合物存在下制备硅氧烷

摘要

本发明涉及一种用于制备硅氧烷的方法以及混合物M，在所述方法中在至少40℃下在化合物D存在下，化合物A与化合物B反应，或者合物A与化合物C反应，或者化合物B与化合物C反应，或者化合物C单独反应，化合物A是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子，化合物B是硅烷或硅氧烷，其包含与硅接键合的至少一个烷氧基部分，化合物C是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子和至少一个与硅直接键合的烷氧基部分，并且化合物D是权利要求1中定义的阳离子Si(II)化合物；本发明还涉及混合物M，其包括：化合物A与化合物B，或者化合物A与化合物C，或者化合物B与化合物C，以及化合物D，条件是化合物B不含乙烯基。

主权项

1.一种用于制备硅氧烷的方法，其中/n在至少40℃下在化合物D存在下，/n化合物A与化合物B反应，或者/n化合物A与化合物C反应，或者/n化合物B与化合物C反应，或者/n化合物C在没有化合物A和B的情况下反应，/n其中，/n化合物A是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子，/n化合物B是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的烷氧基部分，/n化合物C是硅烷或硅氧烷，其包含至少一个与硅直接键合的氢原子和至少一个与硅直接键合的烷氧基部分，并且/n化合物D是通式V的阳离子Si(II)化合物/n([Si(II)Cp]⁺)_aX^a-, (V)/n其中/nCp是通式VI的π键合的环戊二烯基，其被基团R^y取代，/n /nR^y是一价基团或多价基团，其也能够相互键合以形成稠环，并且/nX^a-表示在反应条件下不与阳离子硅(II)中心反应的a价阴离子，或者/n所述化合物D选自如下阳离子Si(II)化合物：/n /n其中，基团R^a各自独立地为烃基，并且Hal表示卤素。/n