[发明专利]集成电路构造及在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法

摘要

一种在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法包括：形成一对结构，所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线。在垂直横截面中，所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧。在所述垂直横截面中沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧形成竖向延伸的绝缘材料。所述形成所述绝缘材料包括：在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外形成横向内绝缘体材料，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳。在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向中间绝缘体材料，所述横向中间绝缘体材料包括硅及氧。所述横向中间绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)。在所述垂直横截面中从所述横向中间绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向外绝缘体材料，所述横向外绝缘体材料包括硅、氧及碳。所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳。在所述垂直横截面中在所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料横向形成竖向延伸的导体材料。本发明还揭示包含独立于制作方法的结构的额外方法方面。

主权项

1.一种在一对结构之间横向形成竖向延伸的导体的方法，其包括：/n形成一对结构，所述对结构个别地包括竖向延伸的导电通路及电耦合到所述导电通路且横越于所述导电通路上方的导电线，在垂直横截面中，所述导电线及所述导电通路分别具有相对侧；/n在所述垂直横截面中沿着所述导电通路及所述导电线的所述相对侧形成竖向延伸的绝缘材料，所述形成所述绝缘材料包括：/n在所述垂直横截面中从所述导电通路及所述导电线的所述相对侧横向向外形成横向内绝缘体材料，所述横向内绝缘体材料包括硅、氧及碳；/n在所述垂直横截面中从所述横向内绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向中间绝缘体材料，所述横向中间绝缘体材料包括硅及氧；所述横向中间绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更少的碳(如果有的话)；及/n在所述垂直横截面中从所述横向中间绝缘体材料的相对侧横向向外形成横向外绝缘体材料，所述横向外绝缘体材料包括硅、氧及碳；所述横向外绝缘体材料包括比所述横向内绝缘体材料更多的碳；及/n在所述垂直横截面中在所述绝缘材料之间且沿着所述绝缘材料横向形成竖向延伸的导体材料。/n