[发明专利]微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备有效
| 申请号： | 201780089829.5 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN110546771B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;陈培炫 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;吴昊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管转移方法、微发光二极管装置和电子设备。该微发光二极管转移方法包括：在接收衬底的电极焊盘上和/或原始衬底的微发光二极管上，设置键合剂块；将接收衬底的电极焊盘和原始衬底的微发光二极管对齐接触，使键合剂块位于微发光二极管和电极焊盘之间；从原始衬底一侧，使用第一激光局部照射，使键合剂块熔化键合微发光二极管和电极焊盘；从原始衬底上剥离微发光二极管，使微发光二极管转移到接收衬底上。通过激光照射进行快速局部加热，避免了对接收衬底和原始衬底的整体加热，降低了热失配现象，优化了微发光二极管的键合流程，更容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 转移 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管转移方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：/n在接收衬底的电极焊盘上和/或原始衬底的微发光二极管上，设置键合剂块；/n将所述接收衬底的电极焊盘和所述原始衬底的微发光二极管对齐接触，使所述键合剂块位于所述微发光二极管和所述电极焊盘之间；/n从所述原始衬底一侧，使用第一激光局部照射，使所述键合剂块熔化键合所述微发光二极管和所述电极焊盘；/n从所述原始衬底上剥离所述微发光二极管，使所述微发光二极管转移到所述接收衬底上。/n
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