[发明专利]磁性装置、振荡器装置、磁性结构和制造磁性结构的方法有效
| 申请号： | 201780090353.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN110603618B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | Z·R·纳恩;E·格特 | 申请（专利权）人： | 西蒙·弗雷泽大学 |
| 主分类号： | H01F41/32 | 分类号： | H01F41/32;G01K7/36;G01R33/09;G11C11/15;H01F1/01;H03B15/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 朱海涛 |
| 地址： | 加拿大不列*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种磁性结构。该磁性结构可以具有带有第一磁化方向的第一磁性层、带有第二磁化10方向的第二磁性层和插置在第一和第二磁性层之间的耦合层。耦合层可包括至少一种非磁性元素和至少一种磁性元素。该至少一种非磁性元素与该至少一种磁性元素的原子比为(100‑x):x，其中x是原子浓度参数。原子浓度参数x可以使得第一磁性层非共线地耦合1到第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，第一磁化方向定向为相对于第二磁化方向成非共线角度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 装置 振荡器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性结构，包括：/n第一磁性层，其具有第一磁化方向；/n第二磁性层，其具有第二磁化方向；/n耦合层，其插置在所述第一和第二磁性层之间，该耦合层包括：/n至少一种非磁性元素，其选自由Ag、Cr、Ru、Mo、Ir、Rh、Cu、V、Nb、W、Ta、Ti、Re、Os、Au、Al和Si组成的组；以及/n至少一种磁性元素，其选自由Ni、Co和Fe组成的组；/n其中所述至少一种非磁性元素与所述至少一种磁性元素的原子比为(100-x):x；并且/n其中x是原子浓度参数，其使得或被选择成使得所述第一磁性层非共线地耦合到所述第二磁性层，从而在没有外部磁场的情况下，所述第一磁化方向定向为相对于所述第二磁化方向成非共线角度。/n
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