[发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780092222.2 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110770883B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 重本拓巳;石川悟;井本裕儿 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(100)具有：半导体元件基板(5)，其具有绝缘性；以及线(W1)，其用于决定半导体元件(S1)相对于半导体元件基板(5)的位置。半导体元件基板(5)具有用于配置半导体元件(S1)的配置区域(Rg1)。线(W1)设置于配置区域(Rg1)的周围的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电力 变换 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在该半导体装置配置半导体元件(S1)，其中，/n所述半导体装置具有：/n基板(5)，其具有绝缘性；以及/n至少1根线(W1)，其用于决定俯视观察中所述半导体元件(S1)相对于所述基板(5)的位置，/n所述基板(5)具有用于配置所述半导体元件(S1)的配置区域，/n所述线(W1)设置于所述配置区域的周围的至少一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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