[发明专利]适用于CMOS成像传感器的超低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201780092690.X 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN110832847B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: H·T·杜;宫晨光;A·M·麦格纳尼 申请(专利权)人: BAE系统成像解决方案有限公司
主分类号: H04N5/3745 分类号: H04N5/3745;H03F3/213;H04N5/357;H04N5/378;H03F3/08;H03F3/16
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人: 刘卓然
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种低噪声放大器。该放大器包括:信号放大器,其具有放大器信号输出;第一滤波电容器;缓冲放大器,其具有缓冲放大器输入和缓冲放大器输出;和开关网络。第一滤波电容器具有第一和第二端子。第二端子连接至电源轨。在第一时间段期间,放大器信号输出通过第一直流路径连接至缓冲放大器输入,并且缓冲放大器通过第二直流路径连接至第一滤波电容器的第一端子。在第二时间段内,放大器信号输出通过第三直流路径直接连接至第一滤波电容器的第一端子,并且在第三时间段内,通过电阻将放大器信号输出到第一滤波电容器的第一端子。
搜索关键词: 适用于 cmos 成像 传感器 低噪声放大器
【主权项】:
暂无信息
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