[发明专利]用于高电子迁移率晶体管的异质结构及其生产方法

摘要

本文件公开了一种用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的异质结构。异质结构包括SiC衬底、形成在SiC衬底上的InxAlyGa1‑x‑yN成核层(12)，其中x＝0‑1，y＝0‑1，优选x0.05且y0.50，更优选x0.03且y0.70，以及最优选x0.01且y0.90。异质结构还包括形成在InxAlyGa1‑x‑yN成核层上的GaN沟道层。GaN沟道层的厚度是50至500nm、优选100至450nm、最优选150至400nm。根据通过X‑线散射XRD所确定的，GaN沟道层呈现其中(002)峰具有低于300弧秒的FMHW的摇摆曲线，以及其中(102)峰具有低于400弧秒的FMHW的摇摆曲线。根据通过原子力显微镜AFM所确定的，异质结构(1)最上层的表面表现出原子台阶流形态，在10μm2的扫描面积上均方根粗糙度低于1.8nm，优选低于1.4nm，最优选低于1nm，在3μm2的扫描面积上均方根粗糙度低于1nm，优选低于0.7nm，最优选低于0.4nm。