[发明专利]多版本库单元处置以及由此制作的集成电路结构在审
| 申请号： | 201780094094.5 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110998841A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | R.库马尔;施全;M.T.博尔;A.W.杨;S.查克拉瓦蒂;B.A.查佩尔;M.C.韦布 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了多版本库单元处置和由此制作的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括沿衬底的第一方向平行并且沿与第一方向正交的第二方向具有节距的多条栅极线。单元类型的第一版本在多条栅极线的第一部分上方，单元类型的第一版本包括沿第二方向具有第二节距的第一多条互连线，第二节距小于第一节距。 | ||
| 搜索关键词： | 版本 单元 处置 以及 由此 制作 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
