[发明专利]p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201780094095.X | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111033752A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在保护层(32)的保护下对p型半导体(31)进行退火。这样，在后续对p型半导体(31)进行高温退火处理的过程中，保护层(32)能够保护p型半导体(31)免于挥发、形成高质量的表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 增强 器件 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
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