[发明专利]光电子半导体器件和用于形成光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201780094317.8 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110959199A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | A.阿里亚斯;L.S.邱 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邹松青;刘茜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种光电子半导体器件(10)，光电子半导体器件(10)包括：具有主延伸平面的载体(11)；以及至少一个半导体芯片(12)，其布置在所述载体(11)上。光电子半导体器件(10)还包括：框架(13)，其布置在所述载体(11)上并且在平行于所述载体(11)的主延伸平面的横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)；以及覆盖所述至少一个半导体芯片(12)和框架(13)的转换层(14)。所述至少一个半导体芯片(12)比所述框架(13)在竖直方向(z)上延伸得更远，其中所述竖直方向(z)垂直于所述载体(11)的主延伸平面。此外，所述半导体芯片(12)被构造成在所述半导体器件(10)的操作期间发射电磁辐射，并且所述框架(13)和所述半导体芯片(12)在横向方向(x，y)上通过间隙(15)彼此间隔开。此外，提供一种用于形成光电子半导体器件(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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