[发明专利]与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触在审
| 申请号： | 201780094408.1 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111033754A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | D.克伦;C.韦伯;R.梅汉鲁;H.肯内尔;B.楚-孔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/66;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种装置，该装置包括：在衬底之上的第一区，其中，第一区包括具有L谷传输能带结构的第一半导体材料；在结处与第一区接触的第二区，其中，第二区包括具有X谷传输能带结构的第二半导体材料，其中，第一和第二半导体材料的一个或多个晶体的<111>晶体方向与所述结大体上正交；以及与第二区相邻的金属，所述金属通过所述结导电地耦合到第一区。还公开并要求保护了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 晶体管 改进 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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