[发明专利]带有后端晶体管的铁电电容器在审
| 申请号： | 201780094462.6 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111052379A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | A.A.沙尔马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/28;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括后端薄膜晶体管（TFT）、电连接到后端TFT的铁电电容器。后端TFT具有栅极电极、源极区和漏极区、在源极区与漏极区之间且物理连接源极区与漏极区的半导体区、以及栅极电极与半导体区之间的栅极电介质。铁电电容器具有电连接到源极区和漏极区中的一个的第一端子、第二端子、以及第一端子与第二端子之间的铁电电介质。在实施例中，存储器单元包括该集成电路，栅极电极电连接到字线，源极区电耦合到位线，并且漏极区是源极区和漏极区中的一个。在实施例中，嵌入式存储器包括字线、位线以及字线和位线的相交区处的多个这样的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 后端 晶体管 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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