[发明专利]相位调制器及其制作方法、硅基电光调制器有效

专利信息
申请号: 201780094544.0 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN111051969B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 王志仁;周林杰;周砚扬;刘磊 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 夏欢
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种相位调制器及其制作方法以及一种硅基电光调制器,该相位调制器通过将P型掺杂区(2)划分成第一P型掺杂区(21)和第二P型掺杂区(22)两部分,将N型掺杂区(3)划分成第一N型掺杂区(31)和第二N型掺杂区(32)两部分,其中,第二P型掺杂区(22)的掺杂浓度小于第一P型掺杂区(21)的掺杂浓度,第二N型掺杂区(32)的掺杂浓度小于第一N型掺杂区(31)的掺杂浓度,从而利用第一P型掺杂区(21)和第一N型掺杂区(31)的重掺杂浓度实现相位调制器与驱动电路的良好电接触,并利用第二P型掺杂区(22)来降低P型掺杂区(2)靠近PN结结构(1)一侧的掺杂浓度,利用第二N型掺杂区(32)来降低N型掺杂区(3)靠近PN结结构(1)一侧的掺杂浓度,降低相位调制器的光传输损耗,进而降低硅基电光调制器的光传输损耗。
搜索关键词: 相位 调制器 及其 制作方法 电光
【主权项】:
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