[发明专利]半导体受光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201780094754.X | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN111066157B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 竹村亮太;石村荣太郎;山口晴央 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | n型半导体基板(1)之上的倍增层(2)含有Al原子。倍增层(2)之上的电场控制层(3)呈p型。电场控制层(3)包含高浓度区域(3H)和设置于高浓度区域(3H)的外侧且具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度的低浓度区域(3L)。电场控制层(3)之上的光吸收层(4)具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度。光吸收层(4)之上的窗层(5)具有比光吸收层(4)的带隙大的带隙，呈n型。受光区域(6)与窗层(5)的外缘(ED)分离地设置，受光区域(6)隔着窗层(5)以及光吸收层(4)与高浓度区域(3H)至少局部性地相对，呈p型。保护环区域(7)通过窗层(5)与受光区域(6)隔开，贯穿窗层(5)而到达光吸收层(4)内，该保护环区域呈p型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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