[发明专利]半导体多层结构

摘要

根据本公开，提供了半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)，所述半导体器件(1,10,20,30,40,50,60)包括：基材(5,7,17)和半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)。该基材包括由Ge制成的层(2,24)；以及该半导体多层结构(3,4,9,11,19,23)包括至少一个第一层和至少一个第二层。至少一个第一层由选自下组的材料构成：AlxGai‑xAs，其中x为约0.6，AlxGa1‑x‑yInyAs，其中0≤x≤0.6且0≤y≤0.02，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑zPz、AlxGa1‑x‑yInyAs1‑zNz、和AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cNzPc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤1，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cNzSbc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.3、且0≤c≤0.7，AlxGa1‑x‑yInyAs1‑z‑cPzSbc，其中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1和0≤c≤0.3，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1；并且至少一个第二层由选自下组的材料构成：GaInAsNSb、GaInAsN、AlGaInAsNSb、AlGaInAsN、GaAs、GaInAs、GaInAsSb、GaInNSb、GaInP、GaInPNSb、GaInPSb、GaInPN、AlInP、AlInPNSb、AlInPN、AlInPSb、AlGaInP、AlGaInPNSb、AlGaInPN、AlGaInPSb、GaInAsP、GaInAsPNSb、GaInAsPN、GaInAsPSb、GaAsP、GaAsPNSb、GaAsPN、GaAsPSb、AlGaInAs和AlGaAs，其中，对于任意材料，所有III族元素含量之和等于1，所有V族元素含量之和等于1，其中，半导体多层结构(3,4,9,11)生长于基材(5,7,17)的Ge层(2,24)上。