[发明专利]使用可光成像电介质、堆积膜和电解电镀的零错位双通孔结构在审
申请号: | 201780095308.0 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN111201600A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | A.阿列克索夫;V.斯特隆;B.劳林斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/538 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了器件封装和形成器件封装的方法。器件封装包括导电焊盘上的电介质,以及导电焊盘的顶表面上的第一籽晶上的第一通孔。器件封装进一步包括电介质上的导电迹线,以及电介质上的第二籽晶层上的第二通孔。导电迹线连接到第一通孔和第二通孔,其中第二通孔连接到导电迹线的与第一通孔相对的边缘。电介质可以包括可光成像电介质或堆积膜。器件封装还可以包括在电介质上的导电迹线之前在电介质上的籽晶,以及在电介质、导电迹线以及第一和第二通孔上的第二电介质,其中第二电介质暴露第二通孔的顶表面。 | ||
搜索关键词: | 使用 成像 电介质 堆积 电解 电镀 错位 双通孔 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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