[发明专利]多管芯半导体封装中的经由波导的半导体管芯间通信在审
申请号: | 201780095331.X | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN111149253A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | K·艾京;Z·Q·钱;J·Y·谢 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01P3/12 | 分类号: | H01P3/12;H01P5/02;H01L25/065;H01L25/07;H01L23/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种内插器层包括集成波导,以促进半导体封装中的半导体管芯之间的高速(例如,高于80GHz)通信。一种内插器层可以包括波导构件以及与波导构件的外周界的至少一部分相邻设置的电介质层。波导构件包括具有第一相对电容率的材料。电介质构件包括具有小于第一相对电容率的第二相对电容率的材料。波导构件和电介质构件形成具有上表面和下表面的内插器层。第一导电薄板可以靠近内插器层的上表面设置,并且第二导电薄板可以靠近内插器层的下表面设置。 | ||
搜索关键词: | 管芯 半导体 封装 中的 经由 波导 通信 | ||
【主权项】:
暂无信息
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