[发明专利]用于传输量子位的垂直超导电容器有效
| 申请号： | 201780095757.5 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111201622B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | S·罗森布拉特;R·O·托帕洛谷;J·B·赫兹博格;W·劳施 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10N60/10 | 分类号： | H10N60/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)包括穿过超导材料(402)的层(602,1302，1304)的衬底(400)中的沟槽(304，502,902,1202，1204，1602)。超导体沉积在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中，在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)的第一表面上形成第一膜，在第二表面上形成第二膜，并且在第三表面上形成所述超导体的第三膜。所述第一表面和所述第二表面基本上平行，并且沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中的所述第三表面将所述第一表面和所述第二表面分开。通过蚀刻暴露所述第三膜下方的电介质。在所述第一膜和超导量子逻辑电路中的第一接触之间形成第一耦合，在所述第二膜和所述超导量子逻辑电路中的第二接触之间形成第二耦合。所述第一耦合和所述第二耦合使得所述第一膜和所述第二膜操作为垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)，所述垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)将所述超导量子逻辑电路中的数据的完整性保持在阈值水平内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 传输 量子 垂直 超导 电容器 | ||
【主权项】：
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