[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 201780096748.8 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN111344915B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 中村直干 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光装置所具有的前端面以及后端面分别包含半导体基板的端部、第一导电型包层的端部、有源层的端部以及第二导电型包层的端部。前端面包含：谐振器端面部，其包含有源层的端部；以及凸出部，其与谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先设定的规定凸出量，凸出部具有台阶底面部。谐振器端面部与台阶底面部连接而形成角部。将从有源层的厚度中央位置至台阶底面部的距离作为底面部深度。底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深。在将规定凸出量设为X、将底面部深度设为Y、将从谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足βarctan(Y/X)的方式确定规定凸出量以及底面部深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
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