[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201780097121.4 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111373552B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 平野光;长泽阳祐 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光元件具备发光元件结构部，该发光元件结构部具有至少包含n型层、活性层及p型层的多个氮化物半导体层。活性层具有量子阱结构，该量子阱结构包含至少1个由GaN系半导体构成的阱层，阱层中，n型层侧的第1面与p型层侧的第2面之间的最短距离在相对于所述氮化物半导体层的层叠方向垂直的平面内变动，从发光元件结构部射出的光的峰值发光波长短于354nm。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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