[发明专利]半导体装置用接合线在审
| 申请号： | 201780097315.4 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111418047A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置用的Pd被覆Cu接合线，其在半导体装置封装中使用的模塑树脂中的硫含量增大的情况下，也能在175℃以上的高温环境下充分地得到球接合部的接合可靠性。在具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层的半导体装置用接合线中，接合线中包含总计为0.03～2质量％的Ni、Rh、Ir、Pd中的1种以上，还包含总计为0.002～3质量％的Li、Sb、Fe、Cr、Co、Zn、Ca、Mg、Pt、Sc、Y中的1种以上。通过使用上述接合线，在半导体装置封装中使用的模塑树脂中的硫含量增大的情况下，也能在175℃以上的高温环境下充分地得到球接合部的接合可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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