[发明专利]一种含有多肟基硅的硅氮化合物有效
| 申请号： | 201810000465.5 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108239103B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市广业电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明是关于一种含有多肟基硅基团的硅氮化合物，该硅氮化合物具有如分子结构（A）的组成，R |
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| 搜索关键词： | 一种 含有 多肟基硅 氮化 | ||
【主权项】：
1.本发明是关于一种含有多肟基硅基团的硅氮化合物及其制备方法，该硅氮化合物具有如分子结构（A）的组成，RnSi(NR’‑C3H6‑Si(ON=CR1R2)3)4‑n所述分子结构（A）中，R是由1到20个碳组成的直链，支链或环状，饱和或不饱和烷烃，芳烃，或含其他取代基团的有机烃；R’是选自H或1到10个碳组成的烷烃或芳烃；R1,R2是相同或不同的由1到10个碳组成的烷烃。
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