[发明专利]一种波长无关高消光比的硅光子调制器在审
| 申请号： | 201810001333.4 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108051972A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 方青;陈晓铃;胡娟;陈华;张志群 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/21 | 分类号： | G02F1/21;G02B6/12;G02B6/125 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种波长无关高消光比的硅光子调制器，属于半导体光信号传输技术领域。该硅光子调制器，硅层分为输入硅光子波导、主MZI结构中的硅光子3dB分束器、辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导、主MZI中的硅光子合束器和主MZI单元，输入硅光子波导通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器分别连接辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输入端，辅助MZI单元Ⅰ、辅助MZI单元Ⅱ输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导，主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元，主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导。本发明通过对辅助MZI进行操作，可以有效解决当前MZI硅光子调制器低消光比和窄波长带宽的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 无关 高消光 光子 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种波长无关高消光比的硅光子调制器，包括从下至上的SOI晶片的衬底（31）、SOI晶片的埋氧层（30）、硅层和硅光子波导的SiO2 上包层（29），其特征在于：所述硅层分为输入硅光子波导（1）、主MZI结构中的硅光子3dB分束器（2）、辅助MZI单元Ⅰ（7）、辅助MZI单元Ⅱ（9）、主MZI中的相位臂硅光子波导、硅光子输出波导（17）、主MZI中的硅光子合束器（18）和主MZI单元（21），输入硅光子波导（1）通过主MZI结构中的硅光子3dB分束器（2）分别连接辅助MZI单元Ⅰ（7）、辅助MZI单元Ⅱ（9）输入端，辅助MZI单元Ⅰ（7）、辅助MZI单元Ⅱ（9）输出端连接主MZI中的相位臂硅光子波导，主MZI中的相位臂硅光子波导内部设有主MZI单元（21），主MZI中的相位臂硅光子波导输出端连接硅光子输出波导（17）。
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