[发明专利]应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201810002005.6 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108054943A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈政宇;曾嵘;余占清;赵彪;宋强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H02M7/483 | 分类号： | H02M7/483;H02M7/155;H02M7/537 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 王冲;吴鑫 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种应用于MMC的大功率电力电子器件及其操作方法。电力电子器件包括并联的IGCT器件和IGBT器件，IGCT器件和IGBT器件具有同等电压等级、一定电流等级比例；进一步，可以将IGCT器件和IGBT器件封装到特殊设计的器件管壳内，进而减小两器件间的杂散电感。此应用于MMC的大功率电力电子器件能够降低整体通态压降，提高MMC的工作效率；降低损耗，减小整体器件体积，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 mmc 大功率 电力 电子器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率电力电子器件，应用于模块化多电平换流器MMC，其特征在于：包括绝缘栅双极型晶体管IGBT器件和集成门极换流晶闸管IGCT器件；其中，所述IGBT器件的集电极与所述IGCT器件的阳极并联引出正极出线端；所述IGBT器件的发射极与所述IGCT器件的阴极并联引出负极出线端；所述IGBT器件与IGCT器件的电压等级同等，电流等级成比例；或者，所述大功率电力电子器件包括封装在一个器件管壳内的IGBT芯片和IGCT芯片，所述IGBT芯片和IGCT芯片并联；其中，所述IGBT芯片与IGCT芯片的电压等级同等，电流等级成比例。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810002005.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
