[发明专利]存取闪存的方法及相关的控制器有效
| 申请号： | 201810002843.3 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108241473B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨宗杰 | 申请（专利权）人： | 慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存取一闪存的方法及相关的控制器，其中所述闪存为一三层式储存闪存，所述闪存中每一条字符线构成一最低有效位数据页、中间有效位数据页与最高有效位数据页，所述闪存中每一条字符在线的每一个储存单元以一浮栅晶体管来实作，每一个储存单元支持至少八个写入电压位准，所述方法包含有：根据欲写入所述闪存中一特定字符线所对应的一第一数据页与一第二数据页中的数据以产生一虚拟数据，其中所述虚拟数据是准备写入至所述特定字符线所对应的一第三数据页；以及将所述数据及所述虚拟数据写入至所述闪存。本发明可以在三层式储存架构的闪存发生质量问题时，将闪存改为类似多层式储存的存取方式，以避免浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 存取 闪存 方法 相关 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种存取一闪存的方法，其特征在于，所述闪存为一三层式储存闪存，所述闪存中每一条字符线构成一最低有效位数据页、中间有效位数据页与最高有效位数据页，所述闪存中每一条字符在线的每一个储存单元以一浮栅晶体管来实现，每一个储存单元支持至少八个写入电压位准，所述方法包含有：当一数据需要写入至该闪存中的一第一区块时，仅以所述八个写入电压位准中的四个特定写入电压位准将所述数据写入至所述闪存；以及当所述数据需要写入至该闪存中的一第二区块时，使用所述八个写入电压位准将所述数据写入至所述闪存。
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