[发明专利]一种硅化金刚石/SiC复合材料的制备方法有效
申请号: | 201810003325.3 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108257925B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 何新波;郑伟;吴茂;曲选辉 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/373 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种硅化金刚石/SiC复合材料的制备方法,属于电子封装材料领域。首先将金刚石颗粒与硅粉进行湿混,充分研磨后进行烧结,使得金刚石表面与硅粉发生反应,生成一层碳化硅涂层,然后以表面镀覆碳化硅的金刚石颗粒与硅粉混合,同时加入有机粘结剂,研磨并且在混料机上混料,得到了均匀的复合颗粒。这些复合颗粒经过预压、脱脂,移入真空熔渗炉中,采用硅掩埋法进行真空熔渗,制备了致密的金刚石/SiC复合材料。本发明采用硅粉对金刚石微粒进行了改性,提高了金刚石与硅之间的界面结合性,得到的金刚石/SiC复合材料致密度在95%以上,硬度HRA80以上,抗弯强度超过200MPa,热导率可达到600W/mK,热膨胀系数1.5~4×10 |
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搜索关键词: | 一种 金刚石 sic 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
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